First-principles study of Ag, Au, Cu, and Li defects in MoS2 and their application to memristors
Hyväksytty
Luokittelutiedot
OKM-julkaisutyyppi
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (vertaisarvioitu)
Julkaisun muoto
Artikkeli
Kohderyhmä
Tieteellinen
Vertaisarvioitu
Vertaisarvioitu
Artikkelityyppi
Alkuperäisartikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Julkaisukanavan tiedot
Lehden/sarjan nimi
Physical review materials
ISSN-P (painettu)
2476-0455
ISSN-E (elektroninen)
2475-9953
ISSN-L (linking)
2475-9953
Kustantaja
American physical society
Julkaisun JUFO ID
85398
Julkaisun JUFO-taso
2
Kansainvälisyys
Kyllä
Julkaisun tarkemmat tiedot
Julkaisuvuosi
2025
Bibliografinen julkaisuvuosi
2025
Ilmoitusvuosi
2025
Lehden/sarjan volyymi
9
Lehden/sarjan numero
1
Artikkelinumero
014001
DOI
10.1103/PhysRevMaterials.9.014001
Julkaisukieli
englanti
Yhteisjulkaisutiedot
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Ei
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
Saatavuustiedot
Verkkojulkaisun linkki
Linkki rinnakkaistallenteeseen
Luokitukset ja lisätiedot
OKM-tieteenalaluokitus
213 Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka
Rahoittajatiedot
Rahoitustiedot julkaisussa
The work was supported by funding received from Infotech Oulu under project "Memristors and neuromorphic sensors from vertically aligned layered materials" and Kvantum Institute under project "Charge carrier recombination dynamics in semiconductor materials and robust 2D materials for sensors, photo and electrocatalysis" at the University of Oulu. We also acknowledge CSC-IT Center for Science Finland for computational resources.
Lähdetietokantojen tunnukset
WoS -tunniste
WOS:001415317000002
Scopus -tunniste
2-s2.0-85214507071